EMC体育谈谈EMC间的存储芯片SDRAM

　　EMC体育，其相对复杂的数据传输时序，在拥有EMC之后，又会出现那些问题，今天就谈一下它们之间的那些事。

　　恩智浦（NXP）公司生产的这款LPC1788芯片带有控制外部存储的控制器，它是一个多端口存储外设，它支持异步静态存储设备，如RAM、ROM和Flash，也支持单数据速率传输的SDRAM这种动态存储器。该控制器带有26根地址线根数据线块静态存储片选地址映射和4块动态存储片选地址映射。下图是EMC接口在内存映射的位置。

　　EMC与外部的动态存储器相连时，其占用的地址线相对来说是比较少的，这还是跟动态存储器的这种存储结构是有一定关系的。就拿SDRAM来说，其内部存储是按行列分布的，如下图所示，就像表格一样，有对应的行地址和列地址，每一个小方格就是一个存储单元。在对其寻址时，需要先进行行地址寻址，再进行列地址寻址，才选择出确定的操作单元。所以其行列地址线是可以分时复用，这也就决定了其占用的地址线较少。

　　来进行配置。可以看到对于SDRAM，有很多的关于时间参数配置的寄存器，需要根据实际连接的外部存储器件来进行相应的配置。当然，这些时间参数在外部存储器件的数据手册中都是可以找着的。但我们也不能掉以轻心，一些错误的时间配置可能导致数据传输无法完成，严重的可能导致动态存储器内部数据丢失。对于动态存储器件来说，其需要不断进行刷新才能保存数据，这是它很重要的操作，所以刷新时间的配置是很重要的。对于常用的SDRAM 芯片IS42S16400来说，在其数据手册中找到下图这样一个时间参数，它的意思就是说刷新4096次需要的时间是64ms，也就是说刷新一次的时间是15.625us，如果刷新的周期比这个大的话，SDRAM就无法保存数据。而对于LPC1788 EMC模块，它就有这样一个时间参数寄存器EMCDyna

　　由于寄存器是以EMC的时钟作为基准的，所以这个刷新时间的设置还跟EMC的时钟有关EMC体育，在配置的过程中，根据当前时钟计算一下，以免出现错误。对于连有多个动态外部存储芯片，而他们是共用这一个刷新时间的，这时候就要根据各个数据手册中要求的刷新周期，以每次刷新时间最短的为准，这样才能保证都能在规定的时间内完成刷新。同时对于支持热复位的情况下，也要注意一下，由于热复位期间，EMC的时钟发生变化，这时候的刷新周期也就有所变化，在配置过程中，也要考虑到上面的情况。

　　对于其他的时间参数，可以对照EMC关于时间参数配置的寄存器和对应的外部存储芯片的数据手册，完成正确的配置，当EMC配置完成之后，就可以通过访问总线地址来访问外部存储。

　　EMC实现的这种与外部存储数据传输方式，会在以后的嵌入式产品中应用越来越广泛，它为小容量MCU提供了新的契机。

　　需求持续强劲：近日，三星电子公司正式发布了第四季度的业务数据情况，根据三星公司发布的数据显示三星电子第四季度利润有望创纪录，三星电子的代工业务或将获得未来2年的订单。

　　是安装在主板上的，与电脑不同，RAM和ROM都是焊接在主板上，RAM容量不可增加，如果有内存扩展功能，可以安装内存卡，扩展内存容量。

　　是韩国重要的出口商品。 援引韩国科学和信息通信技术部公布的数据，5月份韩国半导体产品的出口额超过100亿美元、

　　据韩媒报导，SK海力士将向德国汽车零部件巨头博世（Bosch）提供汽车

　　。知情人士表示EMC体育，SK海力士目前正在草拟独家供应合同的草案。   博世公司相关负责人去年曾参观了SK海力士在韩国的工厂，并

　　设计）资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。

　　是一个高度垄断的市场，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。受全球市场寡头垄断格局影响，中国企业的议价能力极低，我国

　　产品确定要进入牛市周期了，1月份的内存价格已经全面开涨，涨幅在5%以上，现在也轮到闪存产品了，SSD价格也出现了急涨。

　　行业发展至今可分为萌芽期、初步发展期、快速发展期三个阶段。1）萌芽期：在此阶段，各大企业都在积极研发RAM，且DRAM研究进展比ROM快，行业实现了

　　产品市场规模约230亿美元，并且未来几年仍将保持高速增长，2018 年更是有望达到430亿美元。

　　产量提高到10万片晶圆，并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片，最快将于2021年中试产，不过该试产计划可能会推迟至2021下半年。

　　业正被持续装进韩企的口袋。 继最近 SK 海力士官宣收购英特尔 NAND 闪存业务及其位于大连的 Fab 68 厂后，SK 海力士相对薄弱的 NAND 实力得到进一步补足。 作为全球

　　用户端使用的，框图如图1所示。 如图1 所示的中间部分为我们调取的IP 核，user FPGA Logic 为用户端逻辑，DDR2/DDR3

　　与 Flash不同，它不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于 Flash

　　器三个相对独立的市场。 然而，随着摩尔定律的延伸，技术需求也越来越高，传统

　　业正被持续装进韩企的口袋。 继最近SK海力士官宣收购英特尔NAND闪存业务及其位于大连的Fab 68厂后，SK海力士相对薄弱的NAND实力得到进一步补足。 作为全球

　　第一项就强调关键核心技术实现重大突破。这和十三五的产业迈向中高端相比战略意味更浓。而

　　的价格将持续下滑。但在最新的报道中，外媒援引产业链消息人士的透露报道称，

　　国产化的政策支持下，随着产品技术和研发经验的不断积累，部分国内优秀厂商已开发出更贴近本土用户需求的高性价比

　　的解决方案。 首先STT-MRAM作为异常掉电数据缓存的介质有以下几大优势： 1. 非易失性

　　的研发、设计和销售，是大陆少数可以同时提供Nand、Nor、Dram等主要

　　7月5日，为期3天的慕尼黑上海电子展圆满落幕，与往年有所不同，今年的慕展国际

　　大厂有所减少，估计是受到了疫情的影响。 今年参展的国内半导体厂商主要有

　　是半导体元器件中不可或缺的组成部分，几乎存在于所有的电子设备中。随着大数据、云计算、物联网、人工智能等产业的发展，其在整个产业链中扮演的角色越来越重要。

　　的自主可控对我国新一轮信息化进程的推进具有十分重要的战略意义。中国作为全球电子产品的制造基地，长期以来都是

　　据韩联社报道，三星电子周三预计，由于数据中心投资增加和新应用，5G和数据中心的

　　在电子产业链中扮演着非常重要的角色，主要分为闪存和内存，闪存包括 NAND Flash 和 NOR Flash ，内存主要为 DRAM 。 2019 年，由于市场低迷及产能过剩，

　　据钜亨网报道，专门生产 DRAM 和 NAND 的美光可谓最具周期性的科技业务，其财务业绩会随着

　　的通讯方式以SPI居多，在实现flash读写时就是要实现SPI的通讯协议，与EEPROM不同的是，SPI在操作时是按照PAGE页进行整页擦除写入的，这一点需要注意。Flash分为NorFlash和NandFlash，这里主要介绍NorFlash，下面从硬件设计和编程的角度介绍一下。

　　国产率基本为0。不过今年国内在内存及闪存领域已经实现了0的突破，预计2020年就能占到全球

　　国产率基本为0。不过今年国内在内存及闪存领域已经实现了0的突破，预计2020年就能占到全球

　　产业有望在 2020 年底之前从去年的几乎为零的产量增长到世界 5％的

　　无论是消费者对影音娱乐的需求还是企业对数据价值的挖掘，越来越多的数据需要借助

　　市场已占据半导体市场的 34.8%，而这一占比还将继续扩大，预计未来几年内将达到 4 成，甚至是半边天。

　　中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

　　正式宣布，公司实现量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式

　　中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

　　作为半导体元器件中不可或缺的组成部分，有着非常广泛的应用，在内存、消费电子、智能终端等领域均有运用。随着大数据、云计算、物联网等发展，其在整个产业链中扮演的角色将更加重要。过去，我国

　　自主研发技术交流峰会是由南通国家高新区和江苏华存电子科技有限公司主办，IC咖啡承办。本次研讨会旨在讨论集成电路国产化的现状与发展，

　　的发展程度，它的重要性就如同前阵子国产“圆珠笔头”获得成功一样。无论是产业链来说，还是实际应用，

　　企业，其占有NAND flash市场超过45%的市场份额，在DRAM市场也占有近四成的市场份额，

　　价格的持续上涨让它在去年取代Intel成为全球最大的半导体企业，而此前Intel霸占这个位置已长达24年。

　　进口额达146.72亿美元，同比猛增75.4%。业内人士分析指出，最近用于智能手机、数据中心的

　　快速升级，但中国企业技术实力仍需发展，因此只能依靠进口。中国政府发布的报告指出，2017年自主开发的

　　大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存

　　大厂三星正式宣布已开始量产96层堆叠、单Die 32GB容量的第五代V-NAND闪存

　　的供应商之一——富士康。据报道，富士康宣称打算斥资270亿美元收购日本东芝公司闪存业务。那么，

　　市场。对于这一点，韩国公司也在担忧中国竞争对手的加入，他们测算在2022年因为中国竞争的影响，韩国公司预计会减少78亿美元的

　　主要发展NAND flash，合肥长鑫和福建晋华主要发展DRAM，三家企业在去年底实现了厂房封顶，近期开始陆续搬入机台等生产设备，按计划它们今年下半年将开始试产

　　当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash，长江

　　希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破，将技术差距缩短到两年内。

　　相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，性能是普通

　　消费约占总量的30%，其中DRAM需求占22%，NAND需求占29%。而这正是美国觉得在贸易谈判中能有底气的地方。

　　垄断企业营业利润和股价的最大变数，一直以来在这一领域保持领先的韩国企业感受到了真切的威胁。近日韩国媒体《韩国经济新闻》以“快马加鞭的中国半导体崛起”报道了中国

　　业务的出售业务遭遇了一系列的阻碍，从2017年至今，新问题解决一个又来一个。如今东芝考虑在3月底前还没有完成出售的话，就将

　　制造商SK海力士周三表示，该公司并无意放弃参与财团，共同收购东芝180亿美元

　　据外媒报道，三星电子本周二发布消息称，公司将在韩国投资至少21.4万亿韩元（约合人民币1266亿元），以巩固自己在

　　全球物联网、大数据中心、智能家居、便携设备等应用的发展不断丰富着我们的物质生活和精神生活，这些应用的正常运行都离不开半导体数据

　　价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外EMC体育，中国

　　紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM

　　紫光集团已收购武汉新芯集成电路制造有限公司多数股权。之前，武汉新芯曾打造规模为240亿美元的

　　19日，据外媒报，三星移动业务部表示，三星将考虑从竞争对手SK海力士购入移动

　　三星最近打破了目前市场上最高64GB的束缚，本周正式宣布128GB的NAND

　　据国外媒体报道，消息人士周五透露，三星电子将不会向苹果第一批发货的新一代手机提供

　　的电容电感器件选择知识 给大家介绍一下陶瓷电容器在EMI、IMC滤波基础的知识。首先我们要知道陶瓷电容发展的最新状况

　　企业三星电子在全球率先推出40纳米级32GB DRAM(动态随机存取记